NXP PBSS8110X,135 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 905,50
тг 116,22 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 116,22 | тг 2 905,50 |
| 50 - 225 | тг 102,81 | тг 2 570,25 |
| 250 - 975 | тг 89,40 | тг 2 235,00 |
| 1000 - 3975 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
| 4000+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia