Nexperia PBSS5540Z,115 PNP Transistor, -5 A, -40 V, 4-Pin SOT-223

Код товара RS: 518-2034PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS5540Z,115
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

250

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

120 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PBSS5540Z,115 PNP Transistor, -5 A, -40 V, 4-Pin SOT-223
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PBSS5540Z,115 PNP Transistor, -5 A, -40 V, 4-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

250

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

120 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia