NXP PBSS5540X,135 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
60 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 206,90
тг 120,69 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 206,90
тг 120,69 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
| 50 - 190 | тг 93,87 | тг 938,70 |
| 200 - 490 | тг 80,46 | тг 804,60 |
| 500 - 990 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 1000+ | тг 58,11 | тг 581,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
4 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
60 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia