NXP PBSS5520X,135 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 162,20
тг 116,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 162,20
тг 116,22 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 50 - 190 | тг 102,81 | тг 1 028,10 |
| 200 - 490 | тг 89,40 | тг 894,00 |
| 500 - 990 | тг 80,46 | тг 804,60 |
| 1000+ | тг 71,52 | тг 715,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia