NXP PBSS5350X,115 Транзистор

Код товара RS: 518-1980Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS5350X,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.6 x 4.6 x 2.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
DiodesZetex 2DA1971-7 Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

тг 1 251,60

тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

NXP PBSS5350X,115 Транзистор
Select packaging type

тг 1 251,60

тг 125,16 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

NXP PBSS5350X,115 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 125,16тг 1 251,60
20 - 40тг 98,34тг 983,40
50 - 90тг 84,93тг 849,30
100 - 190тг 80,46тг 804,60
200+тг 71,52тг 715,20
Вас может заинтересовать
DiodesZetex 2DA1971-7 Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

-50 V

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.6 x 4.6 x 2.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
DiodesZetex 2DA1971-7 Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)