Nexperia PBSS4540Z,115 NPN Transistor, 5 A, 40 V, 4-Pin SOT-223

Код товара RS: 518-1738PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS4540Z,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PBSS4540Z,115 NPN Transistor, 5 A, 40 V, 4-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia PBSS4540Z,115 NPN Transistor, 5 A, 40 V, 4-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia