Nexperia PBSS4350T,215 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 938,70
тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 938,70
тг 93,87 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 93,87 | тг 938,70 |
| 20 - 40 | тг 80,46 | тг 804,60 |
| 50 - 90 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 100 - 190 | тг 67,05 | тг 670,50 |
| 200+ | тг 58,11 | тг 581,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.