Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
