Nexperia PBSS4160T,215 NPN Transistor, 900 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 518-1536Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS4160T,215
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

900 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

250

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

220 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

тг 1 452,75

тг 58,11 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Nexperia PBSS4160T,215 NPN Transistor, 900 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 1 452,75
50тг 2 235,00
75тг 3 352,50
100тг 4 023,00
125тг 5 028,75
150тг 6 034,50
175тг 7 040,25
200тг 6 258,00
225тг 7 040,25
250тг 7 822,50
275тг 8 604,75
300тг 9 387,00
325тг 10 169,25
350тг 10 951,50
375тг 11 733,75

тг 1 452,75

тг 58,11 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

Nexperia PBSS4160T,215 NPN Transistor, 900 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25тг 1 452,75
50тг 2 235,00
75тг 3 352,50
100тг 4 023,00
125тг 5 028,75
150тг 6 034,50
175тг 7 040,25
200тг 6 258,00
225тг 7 040,25
250тг 7 822,50
275тг 8 604,75
300тг 9 387,00
325тг 10 169,25
350тг 10 951,50
375тг 11 733,75

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 58,11тг 1 452,75
50 - 75тг 44,70тг 1 117,50
100 - 175тг 40,23тг 1 005,75
200 - 375тг 31,29тг 782,25
400+тг 26,82тг 670,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

900 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

250

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

220 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia