Nexperia PBSS4041PT,215 PNP Transistor, 2.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2,7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
| 100 - 200 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 250 - 450 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
| 500 - 2950 | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
| 3000+ | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2,7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.