NXP PBSS4041NZ,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 5 185,20
тг 259,26 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 5 185,20
тг 259,26 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 40 | тг 259,26 | тг 5 185,20 |
| 60 - 80 | тг 192,21 | тг 3 844,20 |
| 100 - 480 | тг 156,45 | тг 3 129,00 |
| 500 - 980 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 1000+ | тг 111,75 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia