Nexperia PBSS4041NZ Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 2 950,20
тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 950,20
тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 295,02 | тг 2 950,20 |
| 50 - 240 | тг 254,79 | тг 2 547,90 |
| 250 - 490 | тг 219,03 | тг 2 190,30 |
| 500 - 990 | тг 192,21 | тг 1 922,10 |
| 1000+ | тг 178,80 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
7 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia