Nexperia PBSS4032NT,215 NPN Transistor, 2.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2,6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 430,40
тг 71,52 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 1 430,40
тг 71,52 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 40 | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
| 60 - 480 | тг 71,52 | тг 1 430,40 |
| 500 - 980 | тг 58,11 | тг 1 162,20 |
| 1000 - 2980 | тг 53,64 | тг 1 072,80 |
| 3000+ | тг 53,64 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2,6 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.