NXP PBHV9115Z,115 Транзистор

Код товара RS: 816-0652Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBHV9115Z,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-200 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать

тг 2 056,20

тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

NXP PBHV9115Z,115 Транзистор
Select packaging type

тг 2 056,20

тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

NXP PBHV9115Z,115 Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 40тг 102,81тг 2 056,20
60 - 80тг 102,81тг 2 056,20
100 - 480тг 98,34тг 1 966,80
500 - 980тг 89,40тг 1 788,00
1000+тг 84,93тг 1 698,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

-200 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Saturation Voltage PNP Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать