Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
150 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 2 056,20
тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 056,20
тг 102,81 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 40 | тг 102,81 | тг 2 056,20 |
| 60 - 80 | тг 102,81 | тг 2 056,20 |
| 100 - 480 | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
| 500 - 980 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 1000+ | тг 84,93 | тг 1 698,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
150 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-200 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
