Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
250 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 2 860,80
тг 286,08 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 860,80
тг 286,08 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 286,08 | тг 2 860,80 |
| 50 - 240 | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
| 250 - 490 | тг 134,10 | тг 1 341,00 |
| 500 - 990 | тг 116,22 | тг 1 162,20 |
| 1000+ | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
250 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-500 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
