Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 37 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NSF060120L3A0Q

Код товара RS: 219-463PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: NSF060120L3A0Q
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China

P.O.A.

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 37 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NSF060120L3A0Q
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 37 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 NSF060120L3A0Q

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Число контактов

3

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China