Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J

Код товара RS: 219-446PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: NSF060120D7A0J
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China

P.O.A.

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Nexperia SiC N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK NSF060120D7A0J

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

1200 V

Тип корпуса

TO-263

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

SiC

Страна происхождения

China