Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
7.5V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
MiniMELF
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
5mA
Максимальный импеданс Зенера
15Ом
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
3.7мм
Ширина
1.6мм
Размеры
3.7 x 1.6 x 1.6мм
Типичный температурный коэффициент напряжения
4мВ/°C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Информация о товаре
Zener Diodes 500mW, BZV55 Series, Nexperia
NXP 500mW Surface Mount (SMT) Zener Diodes, with a wide range of breakdown voltages.
Zener Diodes, Nexperia
тг 3 576,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
200
тг 3 576,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)
200
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
200 - 200 | тг 17,88 | тг 3 576,00 |
400 - 800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
1000 - 1800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
2000 - 3800 | тг 13,41 | тг 2 682,00 |
4000+ | тг 8,94 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
7.5V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
MiniMELF
Тип диода Зенера
Регулятор напряжения
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
5mA
Максимальный импеданс Зенера
15Ом
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Длина
3.7мм
Ширина
1.6мм
Размеры
3.7 x 1.6 x 1.6мм
Типичный температурный коэффициент напряжения
4мВ/°C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Информация о товаре
Zener Diodes 500mW, BZV55 Series, Nexperia
NXP 500mW Surface Mount (SMT) Zener Diodes, with a wide range of breakdown voltages.