Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.9 V
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1.3 V
Максимальный запирающий ток коллектора
-50nA
Высота
1.6мм
Ширина
2.6мм
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.9 V
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1.3 V
Максимальный запирающий ток коллектора
-50nA
Высота
1.6мм
Ширина
2.6мм
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре