Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
90 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00005mA
Ширина
2.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Высота
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
90 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00005mA
Ширина
2.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Высота
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.6мм
Информация о товаре