Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.6мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.8V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.6мм
Информация о товаре
