Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 792-0888PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP62,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-50нА

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Ширина

3.7мм

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia BSP62,115 PNP Darlington Transistor, -1 A 80 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-50нА

Максимальное рассеяние мощности

1,25 Вт

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Ширина

3.7мм

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia