Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.9 V
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1.3 V
Максимальный запирающий ток коллектора
-0.00005mA
Высота
1.7мм
Ширина
3.7мм
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.9 V
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1.3 V
Максимальный запирающий ток коллектора
-0.00005mA
Высота
1.7мм
Ширина
3.7мм
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре