Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
50нА
Высота
1.6мм
Ширина
3.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
50нА
Высота
1.6мм
Ширина
3.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Информация о товаре