Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 484-5251Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP50,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Ширина

3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 609,20

тг 160,92 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 1 609,20

тг 160,92 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 160,92тг 1 609,20
50 - 190тг 156,45тг 1 564,50
200 - 490тг 116,22тг 1 162,20
500 - 990тг 111,75тг 1 117,50
1000+тг 93,87тг 938,70

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Ширина

3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia