Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115

Код товара RS: 216-9268PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP250,115
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,65 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Ширина

3.7мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Nexperia P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 BSP250,115

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.8V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,65 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

10 нКл при 10 В

Ширина

3.7мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors