Nexperia BSP122,115 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
550 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
10
тг 2 816,10
тг 281,61 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 40 | тг 281,61 | тг 2 816,10 |
| 50 - 190 | тг 277,14 | тг 2 771,40 |
| 200 - 490 | тг 214,56 | тг 2 145,60 |
| 500 - 990 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
| 1000+ | тг 151,98 | тг 1 519,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
550 мА
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.7мм
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре