Nexperia BSH114,215 MOSFET

Код товара RS: 508-539Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSH114,215
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

850 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,6 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

тг 1 698,60

тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia BSH114,215 MOSFET

20

Доступно в кратности 20
20тг 1 698,60
40тг 3 397,20
60тг 5 095,80
80тг 6 794,40
100тг 7 599,00
120тг 9 118,80
140тг 10 638,60
160тг 12 158,40
180тг 13 678,20
200тг 13 410,00
220тг 14 751,00
240тг 16 092,00
260тг 17 433,00
280тг 18 774,00
300тг 20 115,00

тг 1 698,60

тг 84,93 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia BSH114,215 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

20

Доступно в кратности 20
20тг 1 698,60
40тг 3 397,20
60тг 5 095,80
80тг 6 794,40
100тг 7 599,00
120тг 9 118,80
140тг 10 638,60
160тг 12 158,40
180тг 13 678,20
200тг 13 410,00
220тг 14 751,00
240тг 16 092,00
260тг 17 433,00
280тг 18 774,00
300тг 20 115,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 84,93тг 1 698,60
100 - 180тг 75,99тг 1 519,80
200 - 380тг 67,05тг 1 341,00
400 - 980тг 58,11тг 1 162,20
1000+тг 53,64тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

850 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,6 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, over 100A, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors