Nexperia BSH108,215 MOSFET

Код товара RS: 509-324Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSH108,215
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

6,4 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

тг 2 771,40

тг 138,57 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia BSH108,215 MOSFET

тг 2 771,40

тг 138,57 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Nexperia BSH108,215 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 138,57тг 2 771,40
100 - 180тг 102,81тг 2 056,20
200 - 380тг 102,81тг 2 056,20
400 - 980тг 98,34тг 1 966,80
1000+тг 84,93тг 1 698,60

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

830 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

6,4 нКл при 10 В

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors