Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
60 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
60 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
