Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
UPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,3 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Информация о товаре