Nexperia BCV62C,215 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-143B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Токовое зеркало
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 950 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-143B
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Токовое зеркало
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре