Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100нА
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-10 V
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
2000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100нА
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Информация о товаре