Nexperia BCP55-10,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 788,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
50
тг 1 788,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 100 - 200 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 250 - 450 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 500 - 950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
| 1000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
63
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia