Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China