Nexperia BCM856BS,115 Dual PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Лента |
|---|---|---|
| 25 - 75 | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
| 100 - 175 | тг 102,81 | тг 2 570,25 |
| 200 - 475 | тг 80,46 | тг 2 011,50 |
| 500 - 2975 | тг 67,05 | тг 1 676,25 |
| 3000+ | тг 44,70 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
175 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре