Nexperia BC857BS,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 3 576,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
100
тг 3 576,00
тг 35,76 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 100 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 200 - 400 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 500 - 900 | тг 35,76 | тг 3 576,00 |
| 1000 - 1900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 2000+ | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia