Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT

Код товара RS: 380-4934PБренд: NexperiaПарт-номер производителя: BC856BW,115
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

UMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 50.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 50.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

UMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia