Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT

Код товара RS: 380-4934Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BC856BW,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

UMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
onsemi SBC807-40WT1G PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323
тг 40,23Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

тг 2 458,50

тг 49,17 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT
Select packaging type

тг 2 458,50

тг 49,17 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Nexperia BC856BW,115 PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 3-Pin UMT

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 49,17тг 2 458,50
250 - 950тг 17,88тг 894,00
1000 - 2450тг 13,41тг 670,50
2500 - 4950тг 13,41тг 670,50
5000+тг 8,94тг 447,00
Вас может заинтересовать
onsemi SBC807-40WT1G PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323
тг 40,23Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 В

Тип корпуса

UMT

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1 x 2.2 x 1.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Small Signal PNP Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
onsemi SBC807-40WT1G PNP Transistor, -500 mA, -45 V, 3-Pin SOT-323
тг 40,23Each (In a Pack of 100) (ex VAT)