Nexperia BC856BS,115 Dual PNP Transistor, -100 mA, -65 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 1 341,00
тг 13,41 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 1 341,00
тг 13,41 Each (On a Reel of 100) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Катушка |
|---|---|---|
| 100 - 200 | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
| 300 - 400 | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
| 500 - 900 | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
| 1000 - 2900 | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
| 3000+ | тг 8,94 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре