Nexperia BC847BVN,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SSMini
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
0.6 x 1.7 x 1.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре
General Purpose Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
тг 2 905,50
тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
50
тг 2 905,50
тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 58,11 | тг 2 905,50 |
| 100 - 100 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
| 150 - 200 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
| 250 - 950 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
| 1000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SSMini
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
0.6 x 1.7 x 1.3мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Hong Kong
Информация о товаре