Nexperia BC847BS,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 150 | P.O.A. |
| 200 - 350 | P.O.A. |
| 400 - 450 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре