Nexperia BC807-40W,115 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia