Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
160
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
UMT
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
160
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
80 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
