N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA Microchip LND150N8-G

Код товара RS: 829-3253Бренд: MicrochipПарт-номер производителя: LND150N8-G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-243AA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA Microchip LND150N8-G
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 30 mA, 500 V Depletion, 4-Pin TO-243AA Microchip LND150N8-G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
20 - 40P.O.A.
60 - 80P.O.A.
100+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Тип корпуса

TO-243AA

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кΩ

Номер канала

Опускание

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

2.6мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.6мм

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

MOSFET Transistors, Microchip