Microchip LND150N3-G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 кΩ
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
740 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Ширина
4.19мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
5.33мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 40 | P.O.A. |
| 60 - 80 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
30 mA
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 кΩ
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
740 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5.2мм
Ширина
4.19мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
5.33мм
Информация о товаре
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.