Microchip DN3525N8-G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
360 мА
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
TO-243AA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 20 | P.O.A. |
| 30 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MicrochipТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
360 мА
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Тип корпуса
TO-243AA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4
Максимальное сопротивление сток-исток
6 Ω
Номер канала
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Максимальное рассеяние мощности
1,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
4.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
2.6мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм