MagnaChip P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC MDS3603URH

Код товара RS: 871-4993Бренд: MagnaChipПарт-номер производителя: MDS3603URH
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

тг 4 023,00

тг 160,92 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

MagnaChip P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC MDS3603URH
Select packaging type

тг 4 023,00

тг 160,92 Each (On a Reel of 25) (ex VAT)

MagnaChip P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC MDS3603URH

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Катушка
25 - 100тг 160,92тг 4 023,00
125 - 225тг 134,10тг 3 352,50
250 - 475тг 111,75тг 2 793,75
500 - 2975тг 102,81тг 2 570,25
3000+тг 98,34тг 2 458,50

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

38,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Low Voltage (LV) MOSFET

These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip