Littelfuse NGD8201ANT4G IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
LittlefuseМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
440 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Тип корпуса
DPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.73 x 7.49 x 2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 49 | P.O.A. |
| 50 - 99 | P.O.A. |
| 100 - 249 | P.O.A. |
| 250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
LittlefuseМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
440 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±15V
Максимальное рассеяние мощности
125 Вт
Тип корпуса
DPAK
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.73 x 7.49 x 2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.