Littelfuse NGB8207BNT4G IGBT, 20 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Код товара RS: 805-1756Бренд: LittelfuseПарт-номер производителя: NGB8207BNT4G
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Littelfuse

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

365 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15V

Максимальное рассеяние мощности

165 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Littelfuse NGB8207BNT4G IGBT, 20 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Littelfuse NGB8207BNT4G IGBT, 20 A 365 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
5 - 45P.O.A.
50 - 95P.O.A.
100 - 245P.O.A.
250 - 495P.O.A.
500+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Littelfuse

Максимальный непрерывный ток коллектора

20 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

365 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±15V

Максимальное рассеяние мощности

165 Вт

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.